| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -80.0 V |
| 额定电流 | -4.00 A |
| 封装 | TO-126-3 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 40 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 4A |
| 最小电流放大倍数 | 750 @1.5A, 3V |
| 最大电流放大倍数 | 750 @1.5A, 3V |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 直流电流增益(hFE) | 750 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 7.74 mm |
| 宽度 | 2.66 mm |
| 高度 | 11.04 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.07 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
PNP 复合晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
ON Semiconductor（安森美）
达林顿功率晶体管PNP硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON
Multicomp
MULTICOMP BD680 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -80 V, 40 W, -4 A, 750 hFE
Infineon（英飞凌）
PNP硅达林顿晶体管 PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
