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BD708
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BD708 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-220-3
描述:互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
PDF文件:BD708 数据手册 (6 页)原理图在1 页
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焊盘图
引脚图
产品图
BD708 数据手册 (6 页)
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BD708 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性PNP
功耗75 W
增益频宽积3 MHz
击穿电压(集电极-发射极)60 V
集电极最大允许电流12A
最小电流放大倍数15 @4A, 4V
最大电流放大倍数400
额定功率(Max)75 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)65 ℃
耗散功率(Max)75000 mW
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BD708 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
材质Silicon
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度9.15 mm
工作温度150℃ (TJ)
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BD708 数据手册

BD708 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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