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BD810G
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BD810G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-220-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  BD810G.  双极性晶体管
PDF文件:BD810G 数据手册 (4 页)封装尺寸在4 页
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BD810G 数据手册 (4 页)
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BD810G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率1.5 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-80.0 V
额定电流10.0 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
极性PNP, P-Channel
功耗90 W
增益频宽积1.5 MHz
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流10A
最小电流放大倍数15 @4A, 2V
额定功率(Max)90 W
直流电流增益(hFE)15
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)90000 mW
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BD810G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
长度10.53 mm
宽度4.83 mm
高度15.75 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BD810G 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）
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