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BD912
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BD912 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-220-3
描述:PNP 功率晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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焊盘图
引脚图
产品图
BD912 数据手册 (6 页)
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BD912 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率3 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-100 V
额定电流-15.0 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
极性PNP, P-Channel
功耗90 W
增益频宽积3 MHz
击穿电压(集电极-发射极)100 V
最小电流放大倍数15 @5A, 4V
最大电流放大倍数150
额定功率(Max)90 W
直流电流增益(hFE)40
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)90 W
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BD912 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度9.15 mm
工作温度150℃ (TJ)
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BD912 数据手册

BD912 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 1.12 MByte
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ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 2.6 MByte
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