| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-223 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 120 V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 140V
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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 120V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 3A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 15
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 800mV/0.8V
●耗散功率PcPower Dissipation| 3W
●Description & Applications| NPN Silicon AF Power Transistor For AF driver and output stages High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BDP952 ... BDP956 (PNP)
●描述与应用| AF功率晶体管NPN硅 对于AF驱动器和输出级 高集电极电流 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压 可互补类型：BDP952... BDP956（PNP）
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