类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 15.0 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 85 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
集电极最大允许电流 | 15A |
最小电流放大倍数 | 1000 @5A, 4V |
额定功率(Max) | 85 W |
直流电流增益(hFE) | 1000 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
增益带宽 | 4MHz (Min) |
耗散功率(Max) | 85000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.28 mm |
宽度 | 4.82 mm |
高度 | 9.28 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
NPN 复合晶体管,On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管,On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
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达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
ON Semiconductor(安森美)
NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
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