| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -12.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 30000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 集电极最大允许电流 | 12A |
| 最小电流放大倍数 | 750 @5A, 3V |
| 额定功率(Max) | 80 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 80 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail |
| 长度 | 9.9 mm |
| 宽度 | 4.5 mm |
| 高度 | 15.95 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
Bourns J.W. Miller（伯恩斯）
PNP硅功率DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS BDW94C 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 80 W, 12 A, 1000 hFE
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS BDW94CFP 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 33 W, -12 A, 1000 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
Power线性和开关应用 Power Linear and Switching Applications
ON Semiconductor（安森美）
PNP 80 W 100 V 12 A 法兰安装 外延 硅 晶体管 - TO-220-3
Fairchild（飞兆/仙童）
Darlington PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
Darlington PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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