| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 8.00 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 电路数 | 8 Circuit |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 65 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 8A |
| 最小电流放大倍数 | 750 @3A, 3V |
| 额定功率(Max) | 65 W |
| 直流电流增益(hFE) | 750 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 65000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.53 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 80 V 8 A 65 W 通孔 TO-220
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Bourns J.W. Miller（伯恩斯）
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
Fairchild（飞兆/仙童）
锤驱动器，音频放大器应用功率班轮和交换应用 Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS BDX53C 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS BDX53B 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BDX53CG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, 750 hFE
ON Semiconductor（安森美）
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
ST Microelectronics（意法半导体）
广颖电达林顿晶体管 SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
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