类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
功耗 | 60 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
最小电流放大倍数 | 750 @3A, 3V |
额定功率(Max) | 60 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 60 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 9.9 mm |
宽度 | 4.5 mm |
高度 | 15.95 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.35 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
Fairchild(飞兆/仙童)
锤驱动器,音频放大器应用功率班轮和交换应用 Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS BDX53C 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS BDX53B 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BDX53CG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
ST Microelectronics(意法半导体)
广颖电达林顿晶体管 SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
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