类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -100 V |
额定电流 | -8.00 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | PNP |
功耗 | 60 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
最小电流放大倍数 | 750 @3A, 3V |
额定功率(Max) | 60 W |
直流电流增益(hFE) | 750 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 60000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
长度 | 10.1 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 9.4 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS
Fairchild(飞兆/仙童)
锤驱动器,音频放大器应用功率班轮和交换应用 Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BDX54CG 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 65 W, 8 A, 750 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
PNP 复合晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS BDX54B 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BDX54C 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 60 W, -8 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
硅PNP功率达林顿晶体管 SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR
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