| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -8.00 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 60 W |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 60 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 集电极最大允许电流 | 8A |
| 最小电流放大倍数 | 750 @3A, 3V |
| 额定功率(Max) | 60 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 9.9 mm |
| 宽度 | 4.5 mm |
| 高度 | 15.95 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Bourns J.W. Miller（伯恩斯）
PNP硅功率DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS
Fairchild（飞兆/仙童）
锤驱动器，音频放大器应用功率班轮和交换应用 Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BDX54CG 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 65 W, 8 A, 750 hFE
ST Microelectronics（意法半导体）
PNP 复合晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
ON Semiconductor（安森美）
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Fairchild（飞兆/仙童）
Darlington PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS BDX54B 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BDX54C 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 60 W, -8 A, 750 hFE
ON Semiconductor（安森美）
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
ST Microelectronics（意法半导体）
硅PNP功率达林顿晶体管 SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR
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