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BF1009SE6327
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BF1009SE6327 技术参数、封装参数

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BF1009SE6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
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BF1009 数据手册

Infineon(英飞凌)
硅N沟道MOSFET四极管(针对低噪声,高增益控制输入级可达到1GHz工作电压9 V综合稳定偏置网络 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9 V Integrated stabilized bias network
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
硅N沟道MOSFET四极管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
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硅N沟道MOSFET四极管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Infineon(英飞凌)
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
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