| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 12.0 V |
| 额定电流 | 25.0 mA |
| 封装 | SOT-143 |
| 输入电容 | 2.50 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 25.0 mA |
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.08 MByte
Infineon（英飞凌）
硅N沟道MOSFET四极管（针对低噪声，高增益控制输入级可达到1GHz工作电压9 V综合稳定偏置网络 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9 V Integrated stabilized bias network
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
硅N沟道MOSFET四极管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Infineon（英飞凌）
硅N沟道MOSFET四极管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Infineon（英飞凌）
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
