Datasheet 搜索 > MOS管 > NXP（恩智浦） > BF1101WR115 Datasheet 文档
BF1101WR115
来自 AiPCBA

BF1101WR115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
PDF文件:BF1101WR115 数据手册 (15 页)引脚图在2 页Hot
封装尺寸在10 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BF1101WR115 数据手册 (15 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BF1101WR115 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
极性N-Channel
漏源极电压(Vds)7.00 V
连续漏极电流(Ids)30.0 mA
查看数据手册 >

BF1101WR115 数据手册

BF1101WR115 数据手册
NXP（恩智浦）
15 页 / 0.36 MByte

BF1101 数据手册

BF1101 数据手册
Philips（飞利浦）
BF1101 数据手册
NXP（恩智浦）
N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1101 数据手册
Global Connector Technology
BF1101 数据手册
ADAM Technologies
BF1101WR 数据手册
NXP（恩智浦）
BF1101WR n沟道双栅MOS-FETs 7V 30MA SOT343 代码 NC 低噪声增益控制放大器1 GHz
BF1101WR,115 数据手册
NXP（恩智浦）
BF1101WR115 数据手册
NXP（恩智浦）
BF1101,215 数据手册
NXP（恩智浦）
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW
BF1101R,215 数据手册
NXP（恩智浦）
BF1101WR,135 数据手册
NXP（恩智浦）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet