Datasheet 搜索 > 晶体管 > NXP（恩智浦） > BF1202WR,135 Datasheet 文档
BF1202WR,135
来自 AiPCBA

BF1202WR,135 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:晶体管
封装:SOT-343-4
描述:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW
PDF文件:BF1202WR,135 数据手册 (15 页)引脚图在2 页Hot
封装尺寸在10 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BF1202WR,135 数据手册 (15 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BF1202WR,135 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率400 MHz
引脚数4 Pin
额定电流30 mA
封装SOT-343-4
功耗200 mW
增益30.5 dB
测试电流12 mA
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)200 mW
额定电压10 V
查看数据手册 >

BF1202WR,135 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
查看数据手册 >

BF1202WR,135 数据手册

BF1202WR,135 数据手册
NXP（恩智浦）
15 页 / 0.17 MByte
BF1202WR,135 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
12 页 / 0.06 MByte

BF1202 数据手册

BF1202 数据手册
NXP（恩智浦）
N沟道双栅MOS POLO - FET的 N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
BF1202 数据手册
Philips（飞利浦）
BF1202WR 数据手册
NXP（恩智浦）
BF1202WR N沟道MOSFET 10V 30mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 LE 电压控制小信号开关/高饱和电流能力
BF1202WR,115 数据手册
NXP（恩智浦）
BF1202WR,135 数据手册
NXP（恩智浦）
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW
BF1202R,215 数据手册
NXP（恩智浦）
BF1202R 数据手册
NXP（恩智浦）
BF1202R N沟道MOSFET 10V 30mA SOT-143 marking/标记 LE 低固有电容/栅极电荷最小化
BF1202,215 数据手册
NXP（恩智浦）
BF1202WR 数据手册
Philips（飞利浦）
BF1202WR135 数据手册
NXP（恩智浦）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet