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BF1212WR,115
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BF1212WR,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:晶体管
封装:SOT-343-4
描述:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 6V
PDF文件:BF1212WR,115 数据手册 (16 页)引脚图在2 页Hot
封装尺寸在11 页
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焊盘图
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BF1212WR,115 数据手册 (16 页)
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BF1212WR,115 技术参数、封装参数

类型描述
频率400 MHz
引脚数4 Pin
额定电流30 mA
封装SOT-343-4
功耗180 mW
漏源极电压(Vds)6 V
增益30 dB
测试电流12 mA
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)180 mW
额定电压6 V
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BF1212WR,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
高度1 mm
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BF1212WR,115 数据手册

BF1212WR,115 数据手册
NXP（恩智浦）
16 页 / 0.41 MByte
BF1212WR,115 用户编程技术手册
NXP（恩智浦）
66 页 / 1.52 MByte
BF1212WR,115 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
13 页 / 0.16 MByte

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