| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 800 MHz |
| 额定电流 | 40 mA |
| 封装 | SOT-143-4 |
| 增益 | 23 dB |
| 测试电流 | 10 mA |
| 额定电压 | 8 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 8V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流Id Drain Current| 10mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 5V 描述与应用| 硅N沟道MOSFET四极管 •低噪声，高增益控制 高达1GHz的输入阶段 •工作电压5V
Infineon（英飞凌）
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