类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-226-3 |
功耗 | 350 mW |
击穿电压 | 30 V |
额定功率(Max) | 350 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 350 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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NXP(恩智浦)
N-沟道硅结型场效应晶体管 N-channel silicon junction field-effect transistors
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