| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 250 V |
| 额定电流 | 50.0 mA |
| 封装 | TO-226-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 830 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 250 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 最小电流放大倍数 | 50 @25mA, 20V |
| 额定功率(Max) | 830 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 50 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 830 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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高电压晶体管 High Voltage Transistors
NXP（恩智浦）
NPN型高压晶体管 NPN high-voltage transistors
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NPN硅晶体管高反向电压（ NPN硅晶体管，高反压） NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage (NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage)
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