类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 60 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -250 V |
额定电流 | -50.0 mA |
封装 | TO-226-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | PNP |
功耗 | 830 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 250 V |
集电极最大允许电流 | 0.5A |
最小电流放大倍数 | 50 @25mA, 20V |
额定功率(Max) | 830 mW |
直流电流增益(hFE) | 50 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 830 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
高电压晶体管,ON Semiconductor
●### 标准
●带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管,On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 250V PNP
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BF423ZL1G 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFE
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