| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电流 | 25 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 击穿电压 | -30.0 V |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 250 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 额定电压 | 30 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
N 通道 JFET，NXP
●### JFET 晶体管
●一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
NXP（恩智浦）
15 页 / 0.06 MByte
NXP（恩智浦）
19 页 / 0.14 MByte
NXP（恩智浦）
N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
NXP（恩智浦）
NXP BF545B 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 6 mA, 15 mA, 7.5 V, SOT-23, JFET
NXP（恩智浦）
NXP BF545C,215. 射频场效应管, JFET, N沟道, 30V, 25mA, 3-SOT-23
NXP（恩智浦）
BF545A N沟道MOSFET 30V 10mA SOT-23/SC-59 marking/标记 MG5 低噪声增益控制放大器
NXP（恩智浦）
BF545C N沟道MOSFET 30V 10mA SOT-23/SC-59 marking/标记 M67 低噪声增益控制放大器
NXP（恩智浦）
N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
