| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-143 |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 最大漏极电流Id Drain Current| 30mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon N Channel MOSFET Tetrode For VHF applications, especially for input and mixer stages with a wide tuning range. 描述与应用| 硅N沟道MOSFET四极管 对于甚高频（VHF）的应用程序，特别是对于具有宽调谐范围的输入和混频器的阶段。
NXP（恩智浦）
N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FET
Siemens Semiconductor（西门子）
BF994 N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-143 marking/标记 ML 高速开关/低导通电阻
Vishay Semiconductor（威世）
N沟道双栅MOS -场效应四极管，耗尽型 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
NXP（恩智浦）
MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
BF994S N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-143 marking/标记 MG 高速开关/低导通电阻
VISHAY（威世）
硅N沟道MOSFET四极管对于甚高频（VHF）的应用程序，特别是对于具有宽调谐范围的输入和混频器的阶段。
Vishay Semiconductor（威世）
N沟道双栅MOS -场效应四极管，耗尽型 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
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