类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 200 MHz |
引脚数 | 4 Pin |
额定电流 | 30 mA |
封装 | TO-253-4 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 200 mW |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 30.0 mA |
增益 | 25 dB |
测试电流 | 10 mA |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 200 mW |
额定电压 | 20 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
双栅极射频 MOSFET 晶体管,Nexperia
●### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FET
Siemens Semiconductor(西门子)
BF994 N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-143 marking/标记 ML 高速开关/低导通电阻
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道双栅MOS -场效应四极管,耗尽型 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
NXP(恩智浦)
MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
BF994S N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-143 marking/标记 MG 高速开关/低导通电阻
VISHAY(威世)
硅N沟道MOSFET四极管对于甚高频(VHF)的应用程序,特别是对于具有宽调谐范围的输入和混频器的阶段。
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道双栅MOS -场效应四极管,耗尽型 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
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