| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 45 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 12.0 V |
| 额定电流 | 30 mA |
| 封装 | TO-253-4 |
| 额定功率 | 0.2 W |
| 针脚数 | 4 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 漏源击穿电压 | 12 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 300 mA |
| 增益 | 28 dB |
| 测试电流 | 10 mA |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 额定电压 | 12 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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NXP（恩智浦）
NXP BF998 晶体管, 射频FET, 12 V, 30 mA, 200 mW, SOT-143B
Siemens Semiconductor（西门子）
BF998 N沟道MOSFET 12V 30mA SOT-143 marking/标记 MO
Vishay Semiconductor（威世）
N沟道双栅MOS -场效应四极管，耗尽型 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
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