| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | Not Recommended |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 30v 最大漏极电流Id Drain Current| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon N-Channel MOSFET Triode For high-frequency stages up to 300 MHz preferably in FM applications 描述与应用| 硅N沟道MOSFET三极管 对于高达300 MHz的高频阶段 最好是在FM应用
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