类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | SOT-223 |
耗散功率(Max) | 1 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 10V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 8Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40~90 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 耗散功率PcPower Dissipation | 700mW/0.7W Description & Applications | NPN 8 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN planar epitaxial transistor in a plastic SOT223 envelope, intended for wideband amplifier applications. The device features a high gain and excellent output voltage capabilities. 描述与应用 | NPN8 GHz的宽带晶体管 说明 NPN平面外延晶体管的 塑料SOT223信封,意 宽带放大器应用。 该器件具有高增益和 出色的输出电压能力。
NXP(恩智浦)
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