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BFG198,115 数据手册 - NXP(恩智浦)
制造商:
NXP(恩智浦)
分类:
双极性晶体管
封装:
TO-261-4
描述:
NXP BFG198,115 晶体管 双极-射频, NPN, 10 V, 8 GHz, 1 W, 100 mA, 90 hFE
PDF文件:
BFG198,115 数据手册 (15 页)
引脚图
在
2 页
Hot
封装尺寸
在
4 页
11 页
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BFG198,115 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-261-4
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
10 V
最小电流放大倍数
40 @50mA, 5V
额定功率(Max)
1 W
直流电流增益(hFE)
90
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
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BFG198,115 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1.7 mm
工作温度
175℃ (TJ)
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BFG198,115
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