集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 5GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 25 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1W Description & Applications| PNP 5 GHz wideband transistor FEATURES • High output voltage capability • High gain bandwidth product • Good thermal stability • Gold metallization ensures excellent reliability 描述与应用| PNP5 GHz的宽带晶体管 特点 •高输出电压能力 •高增益带宽积 •良好的热稳定性 •黄金金属确保卓越的可靠性
NXP（恩智浦）
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