BFG35 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 25V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 18V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 150mA/0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 4GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 25~70 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| NPN planar epitaxial transistor mounted in a plastic SOT223 envelope, intended for wideband amplifier applications. It features high output voltage capabilities 描述与应用| NPN平面外延晶体管 安装在一个塑料SOT223 信封，用于宽带 放大器应用。它具有高 输出电压的能力