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BFG591,115
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BFG591,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:双极性晶体管
封装:TO-261-4
PDF文件:BFG591,115 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

BFG591,115 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率7000 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-261-4
极性NPN
功耗2 W
击穿电压(集电极-发射极)15 V
增益13dB ~ 7.5dB
最小电流放大倍数60 @70mA, 8V
额定功率(Max)2 W
直流电流增益(hFE)90
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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BFG591,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
高度1.7 mm
工作温度150℃ (TJ)
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BFG591,115 数据手册

BFG591,115 数据手册
NXP（恩智浦）
14 页 / 0.1 MByte
BFG591,115 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
39 页 / 0.75 MByte
BFG591,115 产品修订记录
NXP（恩智浦）
72 页 / 3.63 MByte
BFG591,115 其他参考文件
NXP（恩智浦）
1 页 / 0.13 MByte
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