| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-253-4 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 15 V |
| 最小电流放大倍数 | 65 @15mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 400 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | 175℃ (TJ) |
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
小信号 NPN 晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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NPN硅平面RF晶体管特点 •高功率增益 •低噪声系数 •高转换频率 •铅（Pb）免费组件 •组件按照RoHS 2002/95/EC和WEEE2002/96/EC应用RF放大器高达GHz范围内，专门为宽带天线放大器。
NXP（恩智浦）
NPN 5 GHz宽带晶体管 NPN 5 GHz wideband transistor
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NXP（恩智浦）
NPN 5 GHz宽带晶体管 NPN 5 GHz wideband transistor
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