| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-343 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 55 mW |
| 最小电流放大倍数 | 50 |
| 测试频率 | 1.8 GHz |
| 直流电流增益(hFE) | 95 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 15V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 4.5V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 12mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 25GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 50~150 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 55mW Description & Applications| NPN Silicon RF Transistor For low current applications For oscillators up to 12 GHz Noise figure F = 1.25 dB at 1.8 GHz outstanding Gms= 23 dB at 1.8 GHz Transition frequency fT = 25 GHz Gold metallization for high reliability SIEGET 25 GHz fT - Line 描述与应用| NPN硅RF晶体管 对于低电流应用？ 振荡器高达12 GHz的？ 噪声系数F =1.25 dB，在1.8 GHz的 杰出GMS=23在1.8 GHz 过渡频率fT= 25 GHz的 黄金金属的高可靠性 SIEGET25 GHz的FT - 线路
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.51 MByte
Infineon（英飞凌）
19 页 / 0.98 MByte
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.08 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
