类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 4.50 V |
额定电流 | 35.0 mA |
封装 | SMD-4 |
功耗 | 160 mW |
增益频宽积 | 25000 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 5 V |
增益 | 19.5 dB |
最小电流放大倍数 | 60 @5mA, 4V |
最大电流放大倍数 | 60 @5mA, 4V |
额定功率(Max) | 160 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 65 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 1.4 mm |
宽度 | 0.8 mm |
高度 | 0.55 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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BFP420 NPN三极管 10V 35mA 25GHz 60~130 SOT-343 marking/标记 AM 高增益低噪声放大器
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON BFP420H6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 25GHZ, 4.5V, SOT-343
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFP420FH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, 60 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFP 420 H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 160 mW, 35 mA, 95 hFE
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, 60 hFE
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