类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | TSFP |
针脚数 | 4 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 210 mW |
输入电容 | 0.55 pF |
最小电流放大倍数 | 60 |
直流电流增益(hFE) | 60 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 210 mW |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 1.4 mm |
宽度 | 0.8 mm |
高度 | 0.55 mm |
Infineon(英飞凌)
30 页 / 1.5 MByte
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
BFP420 NPN三极管 10V 35mA 25GHz 60~130 SOT-343 marking/标记 AM 高增益低噪声放大器
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFP420H6327 射频晶体管, NPN, 25GHZ, 4.5V, SOT-343
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFP420H6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 25GHZ, 4.5V, SOT-343
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFP420FH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, 60 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFP 420 H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 160 mW, 35 mA, 95 hFE
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, 60 hFE
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