集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 15V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 4.5V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 80mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 30GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 50~200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN Silicon RF Transistor • For highest gain low noise amplifier at 1.8 GHz • Outstanding Gms= 20 dB Noise Figure F = 0.9 dB • Gold metallization for high reliability • SIEGET 45 - Line 描述与应用| NPN硅RF晶体管 •对于最高增益低噪声放大器在1.8 GHz •杰出GMS= 20分贝 噪声系数F =0.9分贝 •高可靠性的黄金金属 •45 - SIEGET线
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BFP540 NPN三极管 15V 80mA 30GHz 50~200 SOT-343 marking/标记 AT 高增益低噪声放大器
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INFINEON BFP540FESDH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, 50 hFE
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INFINEON BFP540H6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, 50 hFE
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NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
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