| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TSFP |
| 最小电流放大倍数 | 110 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 185 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.4 mm |
| 宽度 | 0.8 mm |
| 高度 | 0.55 mm |
SiGe 射频双极晶体管，Infineon
●来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.6 MByte
Infineon（英飞凌）
BFP620 NPN三极管 20V 80mA 65GHz 110~270 SOT-343 marking/标记 AC 高增益低噪声RF晶体管
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP620H7764XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE
Infineon（英飞凌）
Infineon BFP620FH7764XTSA1 , NPN 晶体管, 80 mA, Vce=7.5 V, HFE:110, 4引脚 TSFP封装
Infineon（英飞凌）
SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP 620 H7764 晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE
Infineon（英飞凌）
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
Infineon（英飞凌）
射频(RF)双极晶体管 GP BJT NPN 2.3V 0.08A
Infineon（英飞凌）
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
