| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 极性 | NPN |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
BFP620 NPN三极管 20V 80mA 65GHz 110~270 SOT-343 marking/标记 AC 高增益低噪声RF晶体管
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP620H7764XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE
Infineon（英飞凌）
Infineon BFP620FH7764XTSA1 , NPN 晶体管, 80 mA, Vce=7.5 V, HFE:110, 4引脚 TSFP封装
Infineon（英飞凌）
SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP 620 H7764 晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE
Infineon（英飞凌）
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
Infineon（英飞凌）
射频(RF)双极晶体管 GP BJT NPN 2.3V 0.08A
Infineon（英飞凌）
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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