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BFP640FESDH6327XTSA1
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BFP640FESDH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:双极性晶体管
封装:SMD-4
描述:晶体管 双极-射频, NPN, 4.1 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
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封装尺寸在27 页
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BFP640FESDH6327XTSA1 数据手册 (28 页)
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BFP640FESDH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SMD-4
针脚数4 Position
极性NPN
功耗200 mW
输入电容0.6 pF
击穿电压(集电极-发射极)4.7 V
最小电流放大倍数110 @30mA, 3V
额定功率(Max)200 mW
直流电流增益(hFE)110
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)200 mW
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BFP640FESDH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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BFP640FESDH6327XTSA1 数据手册

BFP640FESDH6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 1.59 MByte
BFP640FESDH6327XTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
BFP640FESDH6327XTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.27 MByte
BFP640FESDH6327XTSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
18 页 / 1.32 MByte

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晶体管 双极-射频, NPN, 4.1 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
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