| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SMD-4 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 4.5 V |
| 增益 | 11dB ~ 21.5dB |
| 最小电流放大倍数 | 110 @80mA, 3V |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon### 双极晶体管，Infineon
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INFINEON BFP650H6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
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INFINEON BFP650FH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 110 hFE
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高线性度的硅锗双极RF晶体管 High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
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INFINEON BFP 650 H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
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SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon
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NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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