BFP650FH6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

Infineon### 双极晶体管，Infineon

INFINEON  BFP650H6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE

INFINEON  BFP650FH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 110 hFE

高线性度的硅锗双极RF晶体管 High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

INFINEON  BFP 650 H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE

SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon

NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor