类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 42000 MHz |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | TSFP |
针脚数 | 4 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 500 mW |
输入电容 | 1.3 pF |
最小电流放大倍数 | 110 |
直流电流增益(hFE) | 110 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 500 mW |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 1.4 mm |
宽度 | 0.8 mm |
高度 | 0.55 mm |
SiGe 射频双极晶体管,Infineon
●来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
●### 双极晶体管,Infineon
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Infineon### 双极晶体管,Infineon
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INFINEON BFP650H6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
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INFINEON BFP650FH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 110 hFE
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高线性度的硅锗双极RF晶体管 High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
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INFINEON BFP 650 H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
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SiGe 射频双极晶体管,Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管,Infineon
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NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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