| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 4.00 V |
| 额定电流 | 30.0 mA |
| 封装 | SOT-343 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP740H6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP740FH6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP740FESDH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
Infineon（英飞凌）
SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP740ESDH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP 740 H6327 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP 740F H6327 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon（英飞凌）
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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