| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 45000 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-343-3 |
| 额定功率 | 0.16 W |
| 针脚数 | 4 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 160 mW |
| 输入电容 | 0.55 pF |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 4.7 V |
| 增益 | 8.5dB ~ 30.5dB |
| 最小电流放大倍数 | 160 @25mA, 3V |
| 最大电流放大倍数 | 400 |
| 额定功率(Max) | 160 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 160 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 160 mW |
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.51 MByte
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.27 MByte
Infineon（英飞凌）
29 页 / 1.88 MByte
Infineon（英飞凌）
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP740H6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP740FH6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP740FESDH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
Infineon（英飞凌）
SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP740ESDH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP 740 H6327 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP 740F H6327 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon（英飞凌）
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
