| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TSFP |
| 最小电流放大倍数 | 160 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 160 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 长度 | 1.4 mm |
| 宽度 | 0.8 mm |
| 高度 | 0.55 mm |
SiGe 射频双极晶体管，Infineon
●来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
●### 双极晶体管，Infineon
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NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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INFINEON BFP740H6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
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INFINEON BFP740FH6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
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INFINEON BFP740FESDH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
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SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon
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INFINEON BFP740ESDH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
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INFINEON BFP 740 H6327 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
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INFINEON BFP 740F H6327 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
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NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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