| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 8Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN 8 GHz wideband transistor FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability • SOT323 envelope. DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT323 envelope. It is designed for wideband applications such as satellite TV tuners and RF portable communications equipment up to 2 GHz. 描述与应用| NPN8 GHz的宽带晶体管 特点 •高功率增益 •低噪声系数 •高转换频率 •黄金金属确保卓越的可靠性 •SOT323信封。 说明 NPN晶体管在一个塑料SOT323信封。它是专为宽带应用，如卫星电视调谐器和射频的便携式通信设备高达2 GHz。
NXP（恩智浦）
BFQ67 NPN三极管 20V 50mA 8Ghz 100 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 V2 卫星电视调谐器
VISHAY（威世）
NPN硅平面RF晶体管特点 •小反馈电容 •低噪声系数 •高转换频率 • 无铅（Pb）组件 •组件按照RoHS 2002/95/EC和WEEE2002/96/EC应用低噪声小信号放大器高达2 GHz。这晶体管能在UHF，VHF和微..
Vishay Semiconductor（威世）
BFQ67 NPN三极管 20V 50mA 8Ghz 100 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 V2 卫星电视调谐器
NXP（恩智浦）
NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NPN 8 GHz宽带晶体管 NPN 8 GHz wideband transistor
VISHAY（威世）
NPN硅平面RF晶体管特点 •小反馈电容 •低噪声系数 •高转换频率 • 无铅（Pb）组件 •组件按照RoHS 2002/95/EC和WEEE2002/96/EC应用低噪声小信号放大器高达2 GHz。这晶体管能在UHF，VHF和微..
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