| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 10 V |
| 最小电流放大倍数 | 60 @15mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 175℃ (TJ) |
RF 晶体管 NPN 10V 50mA 8GHz 300mW 表面贴装型 SOT-323-3
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
BFQ67 NPN三极管 20V 50mA 8Ghz 100 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 V2 卫星电视调谐器
VISHAY（威世）
NPN硅平面RF晶体管特点 •小反馈电容 •低噪声系数 •高转换频率 • 无铅（Pb）组件 •组件按照RoHS 2002/95/EC和WEEE2002/96/EC应用低噪声小信号放大器高达2 GHz。这晶体管能在UHF，VHF和微..
Vishay Semiconductor（威世）
BFQ67 NPN三极管 20V 50mA 8Ghz 100 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 V2 卫星电视调谐器
NXP（恩智浦）
NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NPN 8 GHz宽带晶体管 NPN 8 GHz wideband transistor
VISHAY（威世）
NPN硅平面RF晶体管特点 •小反馈电容 •低噪声系数 •高转换频率 • 无铅（Pb）组件 •组件按照RoHS 2002/95/EC和WEEE2002/96/EC应用低噪声小信号放大器高达2 GHz。这晶体管能在UHF，VHF和微..
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