类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 15.0 V |
额定电流 | 210 mA |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 0.7 W |
功耗 | 700 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 15 V |
增益 | 8.5dB ~ 13dB |
最小电流放大倍数 | 70 @70mA, 8V |
额定功率(Max) | 700 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 700 mW |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
射频双极晶体管,Infineon
●### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.59 MByte
NXP(恩智浦)
NXP BFR106 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, 80 hFE
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
BFR106 系列 15 V 210 mA 低噪声 硅 双极 RF 晶体管 - PG-SOT23-3
NXP(恩智浦)
NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
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