| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 12.0 V |
| 额定电流 | 35.0 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.25 W |
| 功耗 | 250 mW |
| 输入电容 | 0.8 pF |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 12 V |
| 增益 | 12dB ~ 18dB |
| 最小电流放大倍数 | 70 |
| 最大电流放大倍数 | 70 @10mA, 8V |
| 额定功率(Max) | 250 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
射频双极晶体管，Infineon
●### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFR182WH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, 70 hFE
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFR182E6327HTSA1 射频晶体管, NPN, 12V, SOT-23
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