类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 8000 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 12.0 V |
额定电流 | 65.0 mA |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 0.45 W |
极性 | NPN |
功耗 | 0.45 W |
输入电容 | 1.1 pF |
击穿电压(集电极-发射极) | 12 V |
增益 | 17.5 dB |
最小电流放大倍数 | 70 @15mA, 8V |
最大电流放大倍数 | 70 @15mA, 8V |
额定功率(Max) | 450 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 450 mW |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
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NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
BFR183 NPN三极管 20V 65mA 8Ghz 50~200 SOT-523/SC-75 marking/标记 RH 低噪声,高增益宽带放大器
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFR183E6327HTSA1 晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 100 hFE 新
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
BFR183T NPN三极管 20V 65mA 8Ghz 50~200 SOT-523 marking/标记 RH 低噪声,高增益宽带放大器
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