类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 12.0 V |
额定电流 | 65.0 mA |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 0.58 W |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 580 mW |
输入电容 | 2.25 pF |
击穿电压(集电极-发射极) | 12 V |
增益 | 10dB ~ 15dB |
最小电流放大倍数 | 70 @30mA, 8V |
最大电流放大倍数 | 70 @30mA, 8V |
额定功率(Max) | 580 mW |
直流电流增益(hFE) | 70 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 65 ℃ |
耗散功率(Max) | 580 mW |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
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Infineon### 双极晶体管,Infineon
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFR193E6327HTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
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NPN双极RF晶体管 NPN Bipolar RF Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
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